پیوندهای مفید
آمار
| تعداد نشریات | 21 |
| تعداد شماره‌ها | 640 |
| تعداد مقالات | 9,352 |
| تعداد مشاهده مقاله | 67,997,414 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 27,156,657 |
مطالعه نظری خواص ساختاری والکترونی خوشه های کوچک گالیم نیترید (n=1-10) GanNn و ایزومرهایشان | ||
| شیمى کاربردى روز | ||
| مقاله 1، دوره 11، شماره 39، تیر 1395، صفحه 9-24 اصل مقاله (968.21 K) | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22075/chem.2017.739 | ||
| نویسندگان | ||
| حیدرعلی شفیعی گل* ؛ اعظم مرادی | ||
| گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران | ||
| تاریخ دریافت: 26 دی 1395، تاریخ بازنگری: 26 تیر 1404، تاریخ پذیرش: 26 دی 1395 | ||
| چکیده | ||
| در این مطالعه، خواص ساختاری و الکترونی خوشه های GanNn (10-1=n) با استفاده از فرمولبندی تابعی چگالی(DFT) و به روش PAW در بستهی نرم افزاری VASP مورد بررسی قرار میگیرند. نتایج حاصل ازمحاسبات نشان میدهد که در ساختارهای پایدارتر خوشه های کوچک، اتمهای N تمایل بیشتری به تشکیل پیوند هایی بصورت واحدهای سازندهی 2N و یون آزید دارند، در حالی که در خوشه بزرگتر، ساختارهای سه بعدی قفس مانند با پیوندهای Ga-N بیشتر ظاهر می شوند. یک افزایش سریع در انرژی بستگی بر اتم از 1n= به 2n= به دلیل گذار ساختار از حالت یک بعدی به دو بعدی و افزایش همپوشیهای میان اوربیتالهای N و Ga، جهت رسیدن به پایداری بیشتر است. این تغییرات برای ایزومرهای اول خوشههای 3 n> روندی تقریبا خطی را دنبال میکنند. پربند چگالی بار نشان می دهد که اگر چه پیوند Ga-N دارای خصلت یونی است ولی بطور خیلی جزئی نیز رفتار کووالانسی از خود نشان می دهد. همچنین پایینترین ترازهای انرژی مربوط به اوربیتال های N-s، ترازهای میانی یک حالت هیبریدی از Ga-s و N-p و ترازهای نزدیک به تراز فرمی مربوط به Ga-p و N-p هستند. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| تابعی چگالی؛ خوشه؛ ایزومر اول؛ انرژی بستگی؛ ترازهای انرژی | ||
| عنوان مقاله [English] | ||
| Theoretical study of structural and electronic properties of small GanNn clusters (n=1-10) and their isomers | ||
| چکیده [English] | ||
| In this study, structural and electronic properties of GanNn clusters (n=1-10) are investigated using formalism of density functional theory (DFT) and projector augmented plane waves (PAW) within VASP software package. Results of calculations show that more tendency of N atoms in more stable structures of small clusters is the formation of building blocks N2 and azid, whereas the 3D structures are revealed as cage-like shape with Ga-N bonds. A sharp increase in binding energy per atom from n=1 to n=2 is due to structure transition from 1D to 2D and increase of overlapping between N and Ga orbitals in order to obtain more stability. These changes for clusters with n>3 follow approximately a linear trend. Charge density contour shows an ionic bond with partial covalent character for Ga-N. Also, the lowest energy levels devote to N-s orbitals, middle levels to a hybridized case of Ga-s and N-p orbitals and levels close to Fermi level to a hybridized case of Ga-p and N-p orbitals. | ||
| کلیدواژه‌ها [English] | ||
| Density functional, cluster, first isomer, binding energy, energy levels | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 1,147 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 1,712 |
||