پیوندهای مفید
آمار
| تعداد نشریات | 21 |
| تعداد شماره‌ها | 610 |
| تعداد مقالات | 9,028 |
| تعداد مشاهده مقاله | 67,082,908 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 7,656,366 |
طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خود گرمائی | ||
| مدل سازی در مهندسی | ||
| مقاله 2، دوره 8، شماره 23، دی 1389، صفحه 19-23 اصل مقاله (768.4 K) | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22075/jme.2017.1571 | ||
| نویسندگان | ||
| علی اصغر اروجی* ؛ سارا حیدری | ||
| تاریخ دریافت: 09 بهمن 1395، تاریخ بازنگری: 04 اسفند 1403، تاریخ پذیرش: 09 بهمن 1395 | ||
| چکیده | ||
| این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایSOI-MOSFET به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده Si3N4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لایه ای می تواند نقش بسزایی در انتقال گرما به لایه های زیرین لایه مدفون داشته و از افزایش گرما در کانال جلوگیری نماید. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| ترانزیستور اثر میدان؛ سیلیسیم روی عایق؛ خود گرمایی | ||
| عنوان مقاله [English] | ||
| DESIGN AND SIMULATION OF A MULTILAYER SOI-MOSFET STRUCTURE FOR IMPROVING SELF-HEATING EFFECTS | ||
| نویسندگان [English] | ||
| Orouji؛ Heydari | ||
| چکیده [English] | ||
| In this paper, a new silicon-on-insulator (SOI) device structure is proposed to reduce self-heating effects. Using Si3N4 material is main idea in the structure that has high thermal conductivity respect to silicon dioxide. The device has been verified in two-dimensional device simulation. The results show that the structure provides a new path to reduce the temperature of the channel of SOI Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) and decreases the temperature in the channel. | ||
| کلیدواژه‌ها [English] | ||
| Field Effect Transistor, Silicon on Insulator, Self-heating effect | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 1,204 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 662 |
||