طراحی و شبیه سازی یک ترانزیستور SOI-MOSFET چند لایه ای برای بهبود اثرات خود گرمائی | ||
| مدل سازی در مهندسی | ||
| مقاله 2، دوره 8، شماره 23، 1389، صفحه 19-23 اصل مقاله (768.4 K) | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22075/jme.2017.1571 | ||
| نویسندگان | ||
| علی اصغر اروجی* ؛ سارا حیدری | ||
| چکیده | ||
| این مقاله طرح جدیدی برای ساختار ترانزیستورهایSOI-MOSFET به عنوان راهکاری مناسب برای کاهش اثرات مخرب پدیده خودگرمایی ارائه می دهد. ایده اصلی در ارائه این ساختار نوین٬ استفاده ازماده Si3N4 می باشد که دارای هدایت گرمائی بالاتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. همچنین به کمک شبیه سازی دو بعدی٬ عملکرد این ساختار مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لایه ای می تواند نقش بسزایی در انتقال گرما به لایه های زیرین لایه مدفون داشته و از افزایش گرما در کانال جلوگیری نماید. | ||
| کلیدواژهها | ||
| ترانزیستور اثر میدان؛ سیلیسیم روی عایق؛ خود گرمایی | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 1,605 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 964 |
||
| تعداد نشریات | 22 |
| تعداد شمارهها | 722 |
| تعداد مقالات | 10,383 |
| تعداد مشاهده مقاله | 72,839,942 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 64,536,657 |