ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی با ناحیه بدون ناخالصی در طرف درین برای اصلاح چگالی حامل ها و کاربردهای توان بالا | ||
| مدل سازی در مهندسی | ||
| مقاله 10، دوره 13، شماره 43، 1394، صفحه 121-127 اصل مقاله (995.29 K) | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22075/jme.2017.1744 | ||
| نویسندگان | ||
| علی اصغر اروجی* ؛ اکرم عنبر حیدری؛ زینب رمضانی | ||
| دانشگاه سمنان | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنهادی به ترتیب 57٪ و 50٪ نسبت به ساختار مسفت با گیت تو رفته دوبل در طرف سورس بهبود یافته و باعث می شود ساختار پیشنهادی عملکرد بهتری در کاربردهای توان بالا داشته باشد. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| ترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی؛ ولتاژ شکست؛ کربید سیلیسیم؛ توریع بار | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 1,551 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 1,113 |
||
| تعداد نشریات | 22 |
| تعداد شماره‌ها | 732 |
| تعداد مقالات | 10,569 |
| تعداد مشاهده مقاله | 73,813,829 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 65,320,853 |