تکنیک نوین برای کاهش اثر خودگرمایی در ترانزیستورهای اثرمیدان با سورس و درین گسترده شده | ||
| مدل سازی در مهندسی | ||
| مقاله 13، دوره 16، شماره 53، تابستان 1397، صفحه 149-155 اصل مقاله (659.23 K) | ||
| نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22075/jme.2017.5970. | ||
| نویسندگان | ||
| میثم زارعی* ؛ مهسا مهراد | ||
| دانشگاه دامغان | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرارت در سیلیسیم بیشتر از اکسید سیلیسیم می باشد. شبیه سازی با استفاده از نرم افزار شبیه ساز ATLAS نشان می دهد که با در نظر گرفتن مقدار بهینه برای طول و ضخامت پنجره سیلیسیمی، ترانزیستوری با عملکرد مناسب از نقطه نظر دما بدست می آید. این موضوع باعث می شود که ترانزیستور دوگیتی دارای عملکردی مطمئن تر در ابعاد نانو و در دماهای بالاتر گردد. بنابراین، ساختار پیشنهادی می تواند جایگزین مناسبی برای ساختار متداول باشد. | ||
| کلیدواژهها | ||
| ترانزیستور ماسفت دو گیتی؛ تکنولوژی سیلیسیم روی عایق؛ اکسید مدفون؛ ماکزیمم دمای افزاره | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 1,380 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 526 |
||
| تعداد نشریات | 22 |
| تعداد شمارهها | 722 |
| تعداد مقالات | 10,383 |
| تعداد مشاهده مقاله | 72,840,907 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 64,537,838 |