بررسی نظری تاثیر نقص دوگانه بر روی بهبود حساسیت پذیری نانولوله های بورنیتریدی نسبت به جذب HCN با استفاده از روشهای DFT | ||
| شیمى کاربردى روز | ||
| دوره 1399، ویژه نامه چهارمین کنفرانس شیمی کاربردی ایران، مرداد 98، 1399، صفحه 34-38 اصل مقاله (903.17 K) | ||
| نوع مقاله: مقاله علمی پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22075/chem.2020.20815.1866 | ||
| نویسنده | ||
| آیدین بهرامی* | ||
| دانشکده علوم پایه و شیمی/ دانشگاه ارومیه/ ارومیه/ ایران | ||
| چکیده | ||
| محاسبات تئوری تابعیت چگالی در سطح M06/6-31G* بر روی نانولوله های خالص و تغییر ساختاریافته بورنیتریدی (BNNTs) نسبت به جذب گاز HCN به منظور بررسی خصوصیات الکترونیکی و سطح حساسیت پذیری مورد بررسی قرار گرفته است. به منظور به دست آوردن دید عمیق تر نسبت به زوایای جذب گاز بر روی نانولوله، از جنبه های مختلف ساختاری و الکترونی به این موضوع پرداخته شده است. مطابق نتایج به دست آمده، برهمکنش HCN با سطح خارجی نانولوله خالص منجر به تغییر چشمگیری در ساختار و رسانایی آن نمی شود. عدم تغییر محسوس در میزان گاف انرژی نانولوله خالص پس از فرایند جذب، معرفی آن به عنوان سنسور جاذب گاز HCN را امکان پذیر نمی کند. در حالی که اعمال نقص همزمان تغییر دو جایگاه اتمهای B و N در موقعیت روبروی هم بر روی حلقه شش ضلعی که از آن به اعمال نقص دوگانه جایگاه مخالف یاد خواهد شد نه تنها میزان واکنش پذیری HCN نسبت به سطح را دستخوش تغییر ملموس می کند بلکه حساسیت پذیری جذب گاز توسط نانولوله نیز به طرز چشمگیری افزایش می یابد. | ||
| کلیدواژهها | ||
| نانولوله بور نیترید؛ HCN؛ نقص دوگانه جایگاه مخالف؛ تئوری تابعیت چگالی | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 1,475 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 498 |
||
| تعداد نشریات | 22 |
| تعداد شمارهها | 725 |
| تعداد مقالات | 10,489 |
| تعداد مشاهده مقاله | 73,472,315 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 64,893,851 |