مطالعه نظری خواص ساختاری والکترونی خوشه های کوچک گالیم نیترید (n=1-10) GanNn و ایزومرهایشان | ||
| شیمى کاربردى روز | ||
| مقاله 1، دوره 11، شماره 39، 1395، صفحه 9-24 اصل مقاله (968.21 K) | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22075/chem.2017.739 | ||
| نویسندگان | ||
| حیدرعلی شفیعی گل* ؛ اعظم مرادی | ||
| گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان، ایران | ||
| چکیده | ||
| در این مطالعه، خواص ساختاری و الکترونی خوشه های GanNn (10-1=n) با استفاده از فرمولبندی تابعی چگالی(DFT) و به روش PAW در بستهی نرم افزاری VASP مورد بررسی قرار میگیرند. نتایج حاصل ازمحاسبات نشان میدهد که در ساختارهای پایدارتر خوشه های کوچک، اتمهای N تمایل بیشتری به تشکیل پیوند هایی بصورت واحدهای سازندهی 2N و یون آزید دارند، در حالی که در خوشه بزرگتر، ساختارهای سه بعدی قفس مانند با پیوندهای Ga-N بیشتر ظاهر می شوند. یک افزایش سریع در انرژی بستگی بر اتم از 1n= به 2n= به دلیل گذار ساختار از حالت یک بعدی به دو بعدی و افزایش همپوشیهای میان اوربیتالهای N و Ga، جهت رسیدن به پایداری بیشتر است. این تغییرات برای ایزومرهای اول خوشههای 3 n> روندی تقریبا خطی را دنبال میکنند. پربند چگالی بار نشان می دهد که اگر چه پیوند Ga-N دارای خصلت یونی است ولی بطور خیلی جزئی نیز رفتار کووالانسی از خود نشان می دهد. همچنین پایینترین ترازهای انرژی مربوط به اوربیتال های N-s، ترازهای میانی یک حالت هیبریدی از Ga-s و N-p و ترازهای نزدیک به تراز فرمی مربوط به Ga-p و N-p هستند. | ||
| کلیدواژهها | ||
| تابعی چگالی؛ خوشه؛ ایزومر اول؛ انرژی بستگی؛ ترازهای انرژی | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 1,378 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 1,958 |
||
| تعداد نشریات | 22 |
| تعداد شمارهها | 724 |
| تعداد مقالات | 10,460 |
| تعداد مشاهده مقاله | 73,385,196 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 64,750,094 |