سنتز تک لایه نانومتریWS2 با روش رسوب بخار شیمیایی | ||
| مدل سازی در مهندسی | ||
| دوره 21، شماره 73، تابستان 1402، صفحه 63-69 اصل مقاله (774.53 K) | ||
| نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22075/jme.2023.28234.2327 | ||
| نویسندگان | ||
| مریم نیری* 1؛ حامد طاهری2؛ فاطمه استواری3 | ||
| 1عضو هیات علمی و مدیر پژوهش و فناوری دانشگاه آزاد یزد | ||
| 2دانشکده امام علی (ع) | ||
| 3دانشکده فیزیک دانشگاه یزد | ||
| چکیده | ||
| تک لایه تنگستن دی سولفید (WS2) به دلیل دارا بودن شکاف نوار مستقیم و شدت نوردهی بالا، نوید بخش بسیار خوبی برای استفاده در دستگاههای نوری میباشد. در این پژوهش، تک لایه WS2 را در شرایط دمایی کنترل شده سنتز و فیلمهای تولید شده را با استفاده از طیف سنجی مادون قرمز (FT-IR)، رامان، اشعه ایکس (XRD) و تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مشخصهیابی کردیم. نتایج نشان میدهد که ورود گاز آرگون به عنوان حامل، باعث بهبود کیفیت لایه شده و سطح رشد WS2 را افزایش میدهد و در نتیجه فیلمها ضخامت پوششی متوسط 43 نانومتری را نشان میدهند. با کنترل دمایی رشد و ورود به موقع گاز حامل آرگون به طور موثرتری پیش ساز WO3 کاهش یافته و از اکسیداسیون تک لایههای سنتز شده محافظت میشود. نتایج بدست آمده حاکی از سنتز کامل ساختار دو بعدی تک لایه با صفحات متشکل از اندازه کریستالی حدود 26 نانومتر با ضخامت در حدود 43 نانومتر میباشد. | ||
| کلیدواژهها | ||
| تکلایه؛ تنگستن دی سولفید؛ روش CVD؛ طیف سنجی رامان | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 590 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 528 |
||
| تعداد نشریات | 22 |
| تعداد شمارهها | 723 |
| تعداد مقالات | 10,394 |
| تعداد مشاهده مقاله | 72,850,069 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 64,549,024 |