بهبود عملکرد ترانزیستور تونل زنی عمودی مبتنی بر ژرمانیوم با به‌کارگیری GaAs به عنوان کانال | ||
| مدل سازی در مهندسی | ||
| دوره 22، شماره 76، اردیبهشت 1403، صفحه 115-122 اصل مقاله (1.16 M) | ||
| نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22075/jme.2023.26379.2231 | ||
| نویسندگان | ||
| شعیب بابایی توسکی1؛ محمد جواد رضایی2؛ سید منوچهر حسینی* 3 | ||
| 1استادیار، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی همدان، همدان، ایران | ||
| 2دانشجو، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی همدان، همدان، ایران | ||
| 3استاد، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله ترانزیستور تونلزنی عمودی مبتنی بر ژرمانیوم بررسی شدهاست. ویژگیهای الکتریکی ترانزیستور در دو حالت استفاده از ژرمانیوم و همچنین استفاده از گالیوم-آرسناید به عنوان کانال مقایسه شده و شبیه‌سازی آن توسط نرم‌افزار سیلواکو و با استفاده از مدل تونلزنی غیر محلی انجام شدهاست. نتایج نشان می‌دهد که جریان روشنایی بیشتر، جریان خاموشی کمتر و جریان دوقطبی درین کمتر در ولتاژ گیت منفی از مزایای استفاده از گالیوم-آرسناید به جای ژرمانیوم به عنوان کانال است. در ادامه، پارامترهای کانال تغییر داده شده‌اند و اثر تغییر آن‌ها بر روی رفتار ترانزیستور مطالعه شدهاست. افزایش طول کانال باعث کاهش جریان خاموشی و افزایش نسبت جریان روشنایی به خاموشی شده و همچنین باعث کاهش شیب زیرآستانه میشود. از طرف دیگر، افزایش عرض کانال، باعث کاهش نسبت جریان روشنایی به خاموشی و افزایش شیب زیرآستانه میشود. نسبت جریان روشنایی به خاموشی با افزایش طول کانال و کاهش عرض کانال افزایش مییابد و این نسبت میتواند تا 15+10×5/1 افزایش پیدا کند. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| ترانزیستور عمودی؛ تونل زنی؛ سیلواکو؛ ژرمانیوم؛ گالیوم-آرسناید؛ جریان روشنایی؛ جریان خاموشی | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 686 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 860 |
||