طراحی ترانزیستور اثر میدانی تونلی بدون پیوند ناهمگن همراه شده با فناوری Silicon-on-Nothing برای بهبود مشخصات DC | ||
| مدل سازی در مهندسی | ||
| دوره 22، شماره 76، بهار 1403، صفحه 45-53 اصل مقاله (1.28 M) | ||
| نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22075/jme.2023.29572.2392 | ||
| نویسندگان | ||
| امین ونک1؛ امیر امینی* 2 | ||
| 1دانشجوی دکتری دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی تهران غرب، تهران، ایران | ||
| 2دانشیار دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد اسلامی تهران غرب، تهران، ایران | ||
| چکیده | ||
| دراین مقاله، ترانزیستور اثر میدانی تونلی بدون پیوند ناهمگن همراه شده با تکنولوژی silicon-on-nothing (SON HS-JLTFET) پیشنهاد میشود. ترانزیستور پیشنهادی در مقایسه با ترانزیستور تونلزنی بدون پیوند مرسوم دو مزیت دارد. اولین مزیت، یک دهه افزایش در جریان روشنی و بهبود 10 درصدی نوسانات زیر آستانه است که بخاطر استفاده از InAs در ناحیهی سورس میباشد. InAs به دلیل انرژی شکاف باند کمتری که نسبت به Si دارد سبب پهنای سد تونلزنی کمتر در پیوند سورس/کانال میشود. لذا الکترون های بیشتری از سورس به کانال تونل زنی میکنند. در نتیجه سبب افزایش نرخ تونلزنی و بهبود در جریان روشنی و نوسان زیر آستانه میشود. مزیت دیگر شامل کاهش جریان ambipolar به کمک تکنیک SON است. در واقع، air به دلیل ثابت دی الکتریک کمتری که نسبت به اکسید SiO2 دارد میدان الکتریکی را در پیوند درین/کانال کاهش میدهد.میدان کاهش یافته سبب پهنای سد بزرگتری میشود. لذا جریان ambipolar را کاهش میدهد. | ||
| کلیدواژهها | ||
| ترانزیستور تونلزنی؛ نوسانات زیر آستانه؛ جریان ambipolar؛ ساختار ناهمگن | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 694 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 680 |
||
| تعداد نشریات | 22 |
| تعداد شمارهها | 720 |
| تعداد مقالات | 10,344 |
| تعداد مشاهده مقاله | 72,692,124 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 64,315,295 |