تعداد نشریات | 21 |
تعداد شمارهها | 586 |
تعداد مقالات | 8,718 |
تعداد مشاهده مقاله | 66,559,199 |
تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 7,098,841 |
مدل سازی و شبیه سازی رفتار کمانشی نانو سیم های سیلیسیم <100> و <111> با استفاده از روش مکانیک ساختاری | ||
مدل سازی در مهندسی | ||
مقاله 7، دوره 15، شماره 50، مهر 1396، صفحه 85-93 اصل مقاله (1.12 M) | ||
نوع مقاله: کاربردی | ||
شناسه دیجیتال (DOI): 10.22075/jme.2017.2553 | ||
نویسندگان | ||
امین یاسینی* 1؛ محمود شریعتی2 | ||
1دانشگاه صنعتی شاهرود | ||
2دانشگاه شاهرود | ||
تاریخ دریافت: 24 مهر 1391، تاریخ بازنگری: 30 خرداد 1393، تاریخ پذیرش: 15 تیر 1394 | ||
چکیده | ||
در این مقاله با استفاده از روش مکانیک ساختاری و نرم افزار ABAQUS نانو سیمهای سیلیسیم و مدلسازی و تحلیل شده است. میدانهای نیروی بکار گرقته شده جهت مدلسازی در این مطالعه، میدان نیروی DREIDING است. در این تحلیل بار بحرانی کمانشی برای ضخامت-های 1 تا 4 نانومتر با طولهای 5/0 تا 20 نانومتر محاسبه شده است. نتایج نشان میدهد بار بحرانی کمانشی در نسبت های طول به ضخامت نانوسیم، کمتر از 10 از رابطه اولر منحرف میشود. در یک ضخامت و طول یکسان، بیشینه مقدار بار بحرانی کمانشی به نانوسیم تعلق دارد. نتایج حاصل از این روش در مقایسه با روش دینامیک مولکولی با سرعت بیشتر محاسبه میشود و مطابقت مطلوبی با آن دارد. | ||
کلیدواژهها | ||
نانو سیم سیلیسیم؛ مدنل یانگ؛ بار بحرانی کمانشی؛ مکانیک ساختاری | ||
عنوان مقاله [English] | ||
Modeling and Simulation Buckling Behavior of Silicon <100> and <111> Nanowires Using the Structural Mechanics Approach Method | ||
نویسندگان [English] | ||
Amin Yasini1؛ | ||
چکیده [English] | ||
In this research, Si and nanowires with different lengths between 0.5 to 20 nm and thicknesses between 1 to 4 nm, are investigated by using structural mechanics approach and numerical method by ABAQUS software. DREIDING force field is used for force field. In this analysis critical buckling load are calculated. The results of this study show that critical load in ratio of the length of the nanowire thickness less than 10 will be diverted from the Euler equation. The same thickness and length, Si nanowires had the maximum critical buckling load. this method in comparison of other than methods such as molecular dynamics has higher analyzing speed and suitable accuracy. | ||
کلیدواژهها [English] | ||
Silicon nanowires, Young's module, Critical buckling load, Mechanics Approach Method | ||
مراجع | ||
[1] Y. C. Lin., K. C. Lu., W. W. Wu., J. W. Bai, L. J. Chen., K. N. Tu., Y.Huang.,(2008) “Single Crystalline PtSi [13] Jing Yuhang, Meng Qingyuan,2009, "Molecular dynamics simulation on the buckling behavior of silicon | ||
آمار تعداد مشاهده مقاله: 1,095 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 264 |