مدل سازی جامع خازن فلز-اکسید-نیمرسانا مد تخلیهای برای شبیهسازی مداری | ||
| مدل سازی در مهندسی | ||
| مقاله 4، دوره 18، شماره 62، پاییز 1399، صفحه 43-56 اصل مقاله (1.97 M) | ||
| نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22075/jme.2020.19671.1847 | ||
| نویسندگان | ||
| شهریار جاماسب* 1؛ محمدباقر خدابخشی2 | ||
| 1استادیار، گروه مهندسی پزشکی، دانشگاه صنعی همدان | ||
| 2استادیار گروه مهندسی پزشکی- دانشگاه صنعتی همدان | ||
| چکیده | ||
| مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گسترده یک مدل زیر مداری واقع گرایانه برای خازن MOS به دست می آید که امکان مدل سازی دقیق آثار پرفرکانس و ضریب کیفیت خازن را فراهم می کند. کارآیی مدل زیر مداری خازن MOS با استفاده از شبیه سازی اسپایس تایید شد و برای بهبود دقت شبیه سازی روشی برای مدل سازی مقاومت کانال به صورت یک مقاومت کنترل شونده با ولتاژ ارائه شد. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| خازنMOS؛ MOSFET مد تخلیه ای؛ مدل BSIM؛ مدل ضخامت بار | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 1,403 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 621 |
||
| تعداد نشریات | 22 |
| تعداد شماره‌ها | 732 |
| تعداد مقالات | 10,569 |
| تعداد مشاهده مقاله | 73,814,560 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 65,321,484 |